姓名:王琦

						王琦,兰州大学物理科学与技术学院,教授,博士生导师。于2004年获得兰州大学学士学位,于2009年获得兰州大学中科院兰化所联合培养博士学位,从2011年到2014年,在日本物质材料研究机构原子开关与原子晶体管概念提出者M. Aono和T. Hasegawa教授课题组从事博士后研究及担任JST特别研究员,具体负责JST CREST项目“Atom Transistor”的研发工作。参与研发的原子晶体管已列选为国际半导体技术路线图(ITRS)RED部分下一代逻辑器件的主要候选之一。最近几年一直从事新型半导体信息材料与器件的研发工作。目前,在Advanced Materials, Advanced Functional Materials, Applied Physics Letter, Nanotechnology等期刊发表文章20余篇。目前主持在研国家自然科学基金2项,横向项目1项。近几年结题的主持项目包括国家自然科学基金青年基金、科技部国际合作项目子课题,教育部博士点基金,国家重点实验室开放基金、中央高校基本科研业务费等。参与了日英战略合作项目、JST CREST、国家863、国家基金等课题。
					

						主要基于半导体材料与器件的研究与开发工作,通过材料结构的设计、缺陷的控制、器件的表界面调控等实现半导体器件性能的精确控制(欢迎物理、材料、微电子等背景的同学)。目前的具体研究方向如下:

1. 离子基半导体材料


2. 离子基两端、三端原子开关(阻变)存储与逻辑器件


3. 离子基神经形态器件(类脑计算器件)及网络


4. 等离子体成膜工艺及碳基功能薄膜材料
 
					
						部分论文(* 指通讯作者):

[1] Qi Wang*, Yaomi Itoh Tohru Tsuruoka, Masakazu Aono and Tsuyoshi Hasegawa*,Ultra-Low Voltage and Ultra-Low Power Consumption Nonvolatile Operation of a Three-Terminal Atomic Switch, Advanced Materials 27, 6029, 2015.

[2] Xiangyu Guo, Qi Wang*, Xiaowei Lv, Huiyong Yang, Kai Sun, Dongliang Yang, Haitao Zhang, Tsuyoshi Hasegawa, Deyan He, SiO2/Ta2O5 heterojunction ECM memristor: Physical nature of their low voltage operation with high stability and uniformity, Nanoscale 12, 4320, 2020. 

[3] Dongliang Yang, Huiyong Yang, Xiangyu Guo, Haitao Zhang, Chaohui Jiao, Wei Xiao, Pengqian Guo, Qi Wang*, Deyan He, Robust Polyethylenimine Electrolyte for High Performance and Thermally-Stable Atomic Switch Memristors, Advanced Functional Materials, 2020, 2004514, DOI: 10.1002/adfm.202004514

[4] Huiyong Yang, Zheng Wang, Xiangyu Guo, Hao Su, Kai Sun, Dongliang Yang, Wei Xiao, Qi Wang*, Deyan He, Controlled Growth of Fine Multifilaments in Polymer-Based Memristive Devices Via the Conduction Control, ACS Appl. Mater. Interfaces 12, 34370, 2020.

[5] Han Xu, Qi Wang*, Yaodong Ma, Honggang Dang, Pengqian Guo, Huan Yang, Deyan He, An atomic switch using oxygenated amorphous carbon as solid electrolyte, Journal of Physics D: Applied Physics 52, 07LT01, 2019

[6] Qi Wang*, Yaomi Itoh, Tohru Tsuruoka, Masakazu Aono, Deyan He, Tsuyoshi Hasegawa*, Oxygen vacancy drift controlled three-terminal ReRAM with a reduction in operating gate bias and gate leakage current, Solid State Ionics, 328, 30-34, 2018

[7] Yongfu Wang, Kaixiong Gao, Bin Zhang, Qi Wang*, Junyan Zhang*, Structure effects of sp2-rich carbon films under super-low friction contact, Carbon 137 49, 2018.

[8] Qi Wang* and Deyan He*, Time-decay Memristive Behavior and diffusive dynamics in one forget process operated by a 3D vertical Pt/Ta2O5−x/W device, Scientific Reports 7, 822 2017.

[9] Qi Wang*, Yaomi Itoh Tohru Tsuruoka, Shintaro Ohtsuka, Tomohiro Shimizu, Shoso Shingubara, Tsuyoshi Hasegawa*, and Masakazu Aono, Dynamic moderation of an electric field using a SiO2 switching layer in TaOx-based ReRAM Phys. Status Solidi RRL 9, 166, 2015.

[10] Qi Wang*, Yaomi Itoh, Tsuyoshi Hasegawa, Tohru Tsuruoka, Shu Yamaguchi, Satoshi Watanabe, Toshiro Hiramoto and Masakazu Aono, Nonvolatile three-terminal operation based on oxygen vacancy drift in a Pt/Ta2O5-x/Pt, Pt structure, Applied Physics Letters 102, 233508, 2013.
					
						目前主持在研国家自然科学基金项目2项: (1) 焦耳热与原子开关导电细丝随机性分布的相关性及焦耳热的原位缺陷态构造研究; (2) 重离子辐照调控Ta2O5基原子开关阻变层密度及其与开关电压和数据保持性相关性研究。 以及一些其它的纵向与横向项目。

最近几年结题的主持项目包括:国家自然科学青年基金(低功耗三维氧空位离子晶体管的制作与开关机制研究)、科技部国际合作重点项目子课题、教育部博士点基金、以及国家重点实验室开放基金(2项)等一些其它的纵向项目。

代表性成果:
fW级原子晶体管
首次实现氧空位三端结构阻变器件
首次设计验证三端阻变器件结构p型运行的可行性
原子开关阻变器件导电细丝断裂位置及程度的控制理论及实现方案
原子开关阻变器件导电细丝形成机制转变及数量可控方案
运行温度达150度聚合物原子开关的开发
垂直器件结构的刻蚀工艺
阻变异质结隧穿辅助电场调节模型
					
						欢迎报考硕士、博士研究生,欢迎到课题组从事博士后研究工作,学校对于入选的萃英博士后与青年研究员提供优厚的待遇。

有问题欢迎随时咨询:wangqi77@lzu.edu.cn